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电子元器件详细资料 » IC[27071] » SI2327DS-T1-E3
型号:SI2327DS-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C380mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.35 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs12nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds510pF @ 25V
功率_最大750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
济南誉光微电电子科技有限公司王小姐0531-88891493
深圳市能元时代电子有限公司甘先生0755-84502810
深圳市集创讯科技有限公司吴小姐0755-83244680/82865294
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
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SI2327DS-T1-E3相关型号

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